化合物半导体是由两种及以上元素构成的半导体材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作为第二代和第三代半导体的主要代表，因其在高功率、高频率等方面特有的优势，在信息通信、光电应用以及新能源汽车等产业中有着不可替代的地位。

多年以来，世界各国始终对化合物半导体保持高度重视，出台相关政策支持本国产业的发展，2017年美国、德国、欧盟、日本等国家和组织启动了至少12项研发计划，总计投入研究经费达到6亿美元。借助各国政府的大力支持，自从1965年第一支GaAs晶体管诞生以来，化合物半导体器件的制造技术取得了快速的进步，为化合物半导体的应用提供了坚实的基础。目前，随着ALD(原子层淀积)技术的逐渐成熟，化合物半导体HMET结构以及MOSFET结构的器件质量以及可靠性得到了极大的提升，进一步提高了化合物半导体材料在高频高压应用领域的市场占有率。未来随着化合物半导体制造工艺的进一步提升，在逻辑应用方面取代传统硅材料，从而等效延续摩尔定律成为了化合物半导体更为长远的发展趋势。

作为化合物半导体最主要的应用市场，射频器件市场经历了2015年到2016年的缓慢发展，时至今日，随着5G基站更新换代以及设备小型化的巨大需求，全球射频功率器件市场在2016年到2022年间将以9.8%的复合年增长率快速增长。市场规模有望从2016年的15亿美元增长到2022年25亿美元1。此外，随着通信行业对器件性能的要求逐渐提高，GaN、GaAs等化合物半导体器件的优势逐渐显现，传统硅工艺器件逐渐被取代，预计到2025年，化合物半导体将占据射频器件市场份额的80%以上。